快科技11月19日消息，據(jù)國外媒體報道稱，英偉達RTX 50系列顯卡所采用的GB200系列GPU將采用臺積電3nm工藝。

從曝光的最新細節(jié)看，代號為GB202的旗艦產(chǎn)品RTX 5090的CUDA內(nèi)核增加50%，總數(shù)達到24576個。這比基于圖靈的RTX 2080的內(nèi)核多出8倍多。

此外，旗艦新卡的內(nèi)存帶寬也將通過使用32Gbps GDDR7提升52%，高于當(dāng)前RTX 4090的GDDR6X。

時鐘速度預(yù)計將提高15%，這是最大的升級之一。這將使RTX 5090的頻率提升到2.9GHz，在游戲工作負載中輕松超過3GHz。現(xiàn)有 RTX 4090 的最高頻率為2.52GHz。

為了進一步提升性能，NVIDIA計劃將二級緩存增加兩倍，達到 128MB，遠遠超過AMD RX 7900 XTX上的 96MB。這種額外的緩存旨在最大限度地利用 GDDR7 帶來的更高內(nèi)存帶寬。

如果 NVIDIA 能夠?qū)崿F(xiàn)這些雄心勃勃的目標(biāo)，那么僅從規(guī)格上看，RTX 5090 的性能將比RTX 4090高出70%以上。

面對4090的下架，5090還會在中國發(fā)售嗎？

（舉報）