《iPhone 7將搭載新閃存技術(shù) 速度暴增》文章已經(jīng)歸檔，站長(zhǎng)之家不再展示相關(guān)內(nèi)容，下文是站長(zhǎng)之家的自動(dòng)化寫(xiě)作機(jī)器人，通過(guò)算法提取的文章重點(diǎn)內(nèi)容。這只AI還很年輕，歡迎聯(lián)系我們幫它成長(zhǎng)：
科客點(diǎn)評(píng)：iPhone6s消息都還來(lái)不及消化，這iPhone7又有新技術(shù)曝光，果粉得多忙？...
幾天之前，SanDisk和東芝均推出了最新一代的NAND閃存，而根據(jù)最新的消息來(lái)看，這種新閃存將很有可能被應(yīng)用到蘋(píng)果將在2016年推出的iPhone7身上，帶來(lái)更快、更大的存儲(chǔ)速度和空間...
這種256GbitX3芯片采用了15nm的工藝，比市面上最優(yōu)秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲(chǔ)速度提高4-5倍，而能耗將進(jìn)一步降低...
（騰訊數(shù)碼，原標(biāo)題《iPhone7閃存技術(shù)升級(jí)？提升速度與容量》)...
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