全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出“1200V 第 4 代SiC MOSFET※1”,非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車載動(dòng)力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對(duì)于功率半導(dǎo)體來說,當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※ 2 就會(huì)縮短,兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系,因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)
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