SICMOSFET
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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出“1200V 第 4 代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設備的電源。對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※ 2 就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3，改善了二者之間的矛盾權衡關系，與以往
