據(jù)techpowerup報道稱，臺積電正在開發(fā)3nm的工藝制程，包括了N3、N3B和N3E多個節(jié)點。

據(jù)了解，臺積電原計劃在2022下半年量產(chǎn)N3節(jié)點，N3E量產(chǎn)計劃為2023年下半年。

但由于作為3nm簡化版的N3E節(jié)點，量產(chǎn)率較高，臺積電希望早日實現(xiàn)商業(yè)化，可能提前到2023年上半年。

N3E的工藝流程也已經(jīng)提前準(zhǔn)備好了，工藝流程在這個月底就會確定。

據(jù)悉，N3E在N3基礎(chǔ)上減少了EUV光罩層數(shù)，從25層減少到21層，邏輯密度低了8%，不過仍比5nm的N5制程節(jié)點要高出60%，并且具有更好的性能、功耗和產(chǎn)量。

相比之下，據(jù)說N3的邏輯密度比N5高 70%。

還有N3B，據(jù)說是針對某些客戶的 N3 的改進(jìn)版本，不過我們目前對N3B節(jié)點知之甚少。

無論N3E還是N3B，都不是用于取代N3，只是讓客戶有更多的選擇，在不同產(chǎn)品上有更好的性能和功耗表現(xiàn)。

（舉報）