科技界傳來激動(dòng)人心的消息，三星宣布其下一代 V9 QLC 閃存技術(shù)即將問世。這款突破性的技術(shù)采用高達(dá) 280 層的堆疊設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)密度和性能的驚人飛躍。
三星 V9 QLC 閃存的存儲(chǔ)密度達(dá)到了驚人的每平方毫米 28.5 Gb，比當(dāng)前行業(yè)領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ) 232 層 QLC 閃存的 20.62 Gb 提高了 36%。
其他 QLC 方案望塵莫及：美光 232 層 19.5 Gb、SK 海力士 176 層 14.4 Gb、西部數(shù)據(jù)/鎧俠 162 層 13.86 Gb。
隨著存儲(chǔ)密度的提升，SSD 容量也隨之大幅增加。理論上，M.2 SSD 可以實(shí)現(xiàn)單面 8TB、雙面 16TB 的超大容量！
當(dāng)然，最終的容量取決于市場(chǎng)需求。
在性能方面，三星 V9 QLC 的最大傳輸速率聲稱可達(dá) 3200MT/s，高于當(dāng)前最佳的 2400MT/s，甚至可以滿足未來 PCIe 6.0 標(biāo)準(zhǔn)的要求。
不過，實(shí)際性能仍有待觀察，因?yàn)?QLC 方案嚴(yán)重依賴 pSLC 緩沖技術(shù)，需要將最多 25% 的容量作為緩存。
盡管有人對(duì) QLC 仍然持懷疑態(tài)度，但隨著 TLC 潛力的逐漸枯竭，QLC 已成為絕對(duì)主流，各廠商已經(jīng)全部轉(zhuǎn)向該技術(shù)。三星從 2022 年開始就將幾乎全部精力投入到 QLC 的研發(fā)當(dāng)中。
（舉報(bào)）