SK海力士將發(fā)布新HBM內(nèi)存標準,速度提升高達30倍
在SK Icheon Forum 2024論壇上,SK海力士宣布將研發(fā)一種創(chuàng)新的內(nèi)存標準,有望比當前HBM產(chǎn)品快20-30倍。 SK海力士副總裁Ryu Seong-su表示,公司的目標是打造性能大幅提升的HBM產(chǎn)品,以鞏固其市場領先地位。 新標準的具體細節(jié)尚未公布,但預計將采用HBM4技術(shù)。HBM4將邏輯和存儲器半導體集成在一個封裝中,這對于未來的技術(shù)發(fā)展至關(guān)重要。 SK海力士還透露,其下一代HBM產(chǎn)品已引起主要科技公司的極大興趣,包括蘋果、微軟、谷歌和NVIDIA。后者將該技術(shù)用于其人工智能產(chǎn)品中。 SK海力士計劃在2025年中或年底之前發(fā)布其HBM4產(chǎn)品,與三星電子預期發(fā)布的時間一致。這些產(chǎn)品將及時集成到下一代架構(gòu)中,如英偉達的Robin等。(舉報)