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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達(dá)70%
根據(jù)CounterpointResearch的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達(dá)到36%三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據(jù)剩余的5%。CounterpointResearch表示，2025年第二季DRAM市場在各產(chǎn)品類別與廠商市占方面，將與前一季變化不大，長期來看，HBM市場的增長仍面臨來自貿(mào)易沖擊的結(jié)構(gòu)性挑戰(zhàn)，這可能會引發(fā)經(jīng)濟(jì)衰退甚至蕭條。
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SK海力士1cnm DRAM技術(shù)新成果：良品率提升至80%以上
據(jù)報道，SK海力士在DRAM芯片技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，其1cnm工藝DRAM芯片良品率已從去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行業(yè)領(lǐng)先水平。這一技術(shù)突破正值A(chǔ)I浪潮推動高性能存儲需求激增的關(guān)鍵時期，有望幫助SK海力士在消費級和數(shù)據(jù)中心市場建立技術(shù)優(yōu)勢，挑戰(zhàn)三星在DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著良品率的持續(xù)提升和產(chǎn)能的逐步擴(kuò)大，1cnmDRAM芯片有望重塑存儲市場格局，為AI時代的數(shù)據(jù)處理需求提供更強(qiáng)大的支持。
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90億美元付完！SK海力士正式完成對Intel閃存業(yè)務(wù)的收購
當(dāng)?shù)貢r間周四，隨著最后一筆19億美元款項的支付，SK海力士正式完成對IntelNAND閃存業(yè)務(wù)的收購。SK海力士正式獲得了Intel閃存的知識產(chǎn)權(quán)以及員工。支付完剩余的19億美元，SK海力士通過Solidigm接管了Intel的NAND知識產(chǎn)權(quán)，以及研發(fā)資源和相關(guān)技術(shù)員工，實現(xiàn)了對于收購的IntelNAND業(yè)務(wù)的完整的運營控制。
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美光、SK海力士公布SOCAMM內(nèi)存模塊：尺寸更小 功耗更低
據(jù)報道，SK海力士和美光相繼公布了自家的SOCAMM內(nèi)存模塊，該模塊將應(yīng)用于英偉達(dá)最新發(fā)布的BlackwellUltraGB300產(chǎn)品線。SOCAMM解決方案已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，這將是世界上最快、最小、最低功耗和最高容量的內(nèi)存模塊，為不斷增長的人工智能工作負(fù)載提供了大容量內(nèi)存，滿足了AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的需求。SOCAMM頂部沒有凸出的梯形結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了整體高度，使其更適合服務(wù)器的安裝和液體散熱環(huán)境。
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國產(chǎn)內(nèi)存機(jī)會來了！三星、SK海力士、美光被曝今年停產(chǎn)DDR4
隨著DRAM內(nèi)存芯片的價格不斷走低，三星、SK海力士、美光三大原廠都將在2025年內(nèi)就停產(chǎn)DDR4。DDR3內(nèi)存都仍有相當(dāng)?shù)氖褂每臻g，三大廠也是去年底才開始逐步停產(chǎn)。長鑫存儲的DDR4、LPDDR4XDRAM顆粒主要采用17-18nm工藝生產(chǎn)，未來幾年肯定機(jī)會多多。
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三星、SK海力士計劃停用中國EDA軟件！
韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國半導(dǎo)體電子設(shè)計自動化軟件，以應(yīng)對美國可能出臺的新政策。這些政策可能會限制韓國半導(dǎo)體公司使用中國軟件，業(yè)界人士透露，SK海力士正在評估其使用的中國EDA軟件是否符合未來政策要求。SK海力士的代表表示，公司正在考慮是否繼續(xù)使用中國EDA軟件，因為目前正值續(xù)約之時。
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NVIDIA GPU賣脫銷！黃仁勛要求SK海力士HBM4內(nèi)存提前6個月交貨
NVIDIABlackwellGPU系列產(chǎn)品無疑是AI市場上的頭號寵兒，甚至未來半年的產(chǎn)能都賣光了，NVIDIA對于產(chǎn)業(yè)鏈的供應(yīng)也十分饑渴，比如臺積電CoWoS封裝，比如HBM內(nèi)存芯片。SK海力士董事長崔泰源就透露，他們原計劃2025年下半年向客戶供貨下一代HBM4芯片，但是黃仁勛明確要求，必須加快速度，提前6個月交貨。不過在Rubin之前會有一代升級版的BlackwellUltraB300系列是搭配HBM3E。
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性能暴增30倍！SK海力士正開發(fā)HBM內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)
在SKIcheonForum2024論壇上，SK海力士副總裁RyuSeong-su宣布，該公司正計劃開發(fā)一種新的HBM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)將比目前HBM產(chǎn)品快20-30倍。RyuSeong-su表示，公司的目標(biāo)是推出性能大幅提升的差異化產(chǎn)品，以期在HBM市場中取得領(lǐng)先地位。SK海力士還表達(dá)了創(chuàng)建其存儲半導(dǎo)體的意向，根據(jù)計劃，SK海力士和三星都計劃在2025年中或年底之前發(fā)布各自的HBM4產(chǎn)品，以便及時集成到下一代產(chǎn)品中，如英偉達(dá)Robin等架構(gòu)。
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%
快科技6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良品，可用于實際應(yīng)用。此外，SK海力士的實驗性3
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業(yè)界最高性能！SK海力士推出新一代移動端閃存ZUFS 4.0
快科技5月9日消息，SK海力士今日宣布，已成功開發(fā)出新一代移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.0”，專為端側(cè)AI手機(jī)優(yōu)化。SK海力士表示，ZUFS 4.0是業(yè)界最高性能的移動端NAND閃存解決方案，它通過區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)特性進(jìn)行管理，與現(xiàn)有UFS相比，ZUFS采用分區(qū)存儲方式，顯著提升了手機(jī)操作系統(tǒng)的運行速度和存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)管理效率。在長期使用環(huán)境下，ZUFS 4.0相比現(xiàn)有UFS，能夠使手機(jī)應(yīng)用程序的運行時間提升約45%，并且在存儲讀寫性能下降方面實現(xiàn)了超過4倍的改善，從而將產(chǎn)品的使用壽命提升了約40%。SK海力士自2019年起便與全球平臺企業(yè)合作開發(fā)ZUF
