東方晶源多年來深耕電子束檢測領(lǐng)域，其電子束缺陷檢測設(shè)備EBI與關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備CD-SEM先后實現(xiàn)國產(chǎn)替代零的突破，并獲市場認可。
2023 年初，東方晶源推出DR-SEM r600，搭配 3 通道電子成像技術(shù)與新型設(shè)備平臺，在客戶端完成量產(chǎn)驗證，為后續(xù)開發(fā)奠定了基礎(chǔ)。經(jīng)過兩年時間迭代研發(fā)，東方晶源比較新一代DR-SEM r655 產(chǎn)品將搭載全新的高性能電子槍和光學(xué)檢測模組，以及升級版?zhèn)髌到y(tǒng)和算法系統(tǒng)，突破一系列技術(shù)難點，滿足國內(nèi)先進制程產(chǎn)線應(yīng)用需求。
電子束檢測成像： 5 通道探測器覆蓋更廣泛的檢測需求
全方位缺陷表征： 4 個側(cè)向探測器支持全角度形貌掃描，顯著提升缺陷立體成像效果，助力工程師準確判定缺陷類型與成因，尤其對淺刮傷等微小缺陷的復(fù)檢成功率提升明顯。
材料襯度解析優(yōu)化：頂端探測器增強背散射電子信號接收能力，準確捕捉材料襯度差異，滿足先進制程對多種應(yīng)用場景的需求。
高深寬比工藝兼容：配合高加速電場設(shè)計，適配高深寬比結(jié)構(gòu)檢測，性能對標國際成熟機型。
光學(xué)檢測升級：突破靈敏度極限
針對無圖形晶圓缺陷復(fù)檢需求，比較新一代的r655 通過兩項核心改進實現(xiàn)突破：
光路優(yōu)化：調(diào)整缺陷接收光路，縮小與目標缺陷尺寸的檢測差距。
深紫外光源系統(tǒng)：基于自研光路和定制開發(fā)的國產(chǎn)深紫外激光源，光學(xué)檢測靈敏度提升至20nm，未來可進一步優(yōu)化性能。
效能躍升：產(chǎn)能對標國際水平
r655 通過平臺級升級，全面優(yōu)化晶圓吞吐效率：
傳輸與運動控制：縮短晶圓傳輸時間，配合新一代電子光學(xué)系統(tǒng)加速缺陷抓取，處理速度接近國際一線設(shè)備。
模塊化擴展設(shè)計：新平臺具備靈活的可拓展性，支持多個選配模組和升級需求，兼容先進制程的多樣化檢測需求，確保設(shè)備長期技術(shù)競爭力。
未來布局：智能化與國產(chǎn)化深度融合
東方晶源以“高性能優(yōu)化（HPO）”為核心理念，前瞻性整合DR-SEM與GDS-Design系統(tǒng)，通過智能算法提升缺陷抓取率，推動檢測流程自動化。此舉旨在通過自主創(chuàng)新，突破關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，走出自研設(shè)備的道路，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控提供堅實支撐。
結(jié)語
從技術(shù)攻堅到產(chǎn)能突破，東方晶源DR-SEM系列產(chǎn)品持續(xù)以務(wù)實創(chuàng)新回應(yīng)市場需求。r655 的推出，標志著國產(chǎn)電子束檢測設(shè)備在精度、效率與智能化領(lǐng)域邁入新階段，為我國半導(dǎo)體先進制程發(fā)展注入強勁動能。
（推廣）