之前傳聞顯示，RTX 40系列將采用臺(tái)積電4nm制造工藝，而在正式發(fā)布的時(shí)候，官方標(biāo)注為4N”，和臺(tái)積電說的N4”正好反過來。這是什么鬼？
我們的第一反應(yīng)，是這屬于定制版的臺(tái)積電4nm，結(jié)果只猜對(duì)了一半。
根據(jù)快科技了解，4N工藝確實(shí)是NVIDIA與臺(tái)積電定制的，但并非4nm，而是5nm，所以完整說法應(yīng)該是臺(tái)積電4N 5nm工藝。
這也再次證明，臺(tái)積電的4nm、5nm工藝并無本質(zhì)區(qū)別，前者主要是提高了晶體管集成度。當(dāng)然了，總要比RTX 30系列的三星N8 8nm強(qiáng)太多了。
按照黃仁勛的說法，憑借新的架構(gòu)和工藝，RTX 40系列的能效是RTX 30系列的兩倍。
數(shù)據(jù)顯示，Ada Lovelace架構(gòu)的大核心GA102集成了763億個(gè)晶體管，核心面積608.4平方毫米，密度為1.255億個(gè)/平方毫米，內(nèi)置18176個(gè)CUDA核心、142個(gè)第三代光追核心、568個(gè)第四代張量核心。
相比之下，三星8nm Ampere GA102核心是283億個(gè)晶體管、628平方毫米，密度為4510萬個(gè)/平方毫米。
換言之，臺(tái)積電4N的集成密度是三星N8的足足2.8倍！
（舉報(bào)）