三星在第 9 代 V-NAND 閃存技術(shù)中，將鉬（Mo）引入金屬化工藝，取代了傳統(tǒng)的鎢材料。這一突破性舉措旨在降低層高，從而提高性能。
三星轉(zhuǎn)向鉬材料，有望將層高減少 30% 至 40%，同時顯著縮短 NAND 閃存的響應(yīng)時間。這項創(chuàng)新將為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來重大性能提升，預(yù)示著 NAND 材料供應(yīng)鏈的重塑。
鉬材料的應(yīng)用要求生產(chǎn)設(shè)備耐高溫處理。三星從 Lam Research 公司采購了首批 5 臺 Mo 沉積機，并計劃在一年內(nèi)再添置 20 臺，以加快鉬基 NAND 的生產(chǎn)布局。
三星與 Entegris 和 Air Liquide 等領(lǐng)先供應(yīng)商合作，確保穩(wěn)定的鉬源供應(yīng)。Merck 等公司也提供了鉬材料樣品，表明了行業(yè)對新技術(shù)路徑的廣泛支持。
業(yè)界同行，如 SK 海力士、美光和鎧俠，也正探索在 NAND 生產(chǎn)中采用鉬材料的可行性。這一舉措推動了半導(dǎo)體材料的革新進程，預(yù)示著六氟化鎢市場將面臨壓力，而鉬材料市場將迅速崛起。
盡管鉬材料成本較高，但其顯著的性能優(yōu)勢和未來在 DRAM 和邏輯芯片領(lǐng)域的潛力，使其成為眾多企業(yè)競相追逐的熱門選擇。
（舉報）