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三星在其第9代V-NAND閃存技術(shù)的革新中,巧妙地在金屬化工藝環(huán)節(jié)引入了鉬作為替代材料,與之并行的另一路徑則繼續(xù)沿用傳統(tǒng)的鎢材料。面對(duì)鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限,三星前瞻性地轉(zhuǎn)向鉬,這一轉(zhuǎn)變不僅有望實(shí)現(xiàn)層高30%至40%的進(jìn)一步縮減能顯著降低NAND閃存的響應(yīng)時(shí)間,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來前所未有的性能飛躍。這一趨勢(shì)預(yù)示著六氟化鎢市場(chǎng)將面臨不可避免的收縮壓力含鉬材料的市場(chǎng)則將迅速崛起。