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    DDR5內(nèi)存

    DDR5內(nèi)存

    美光宣布,基于最新1納米工藝的DDR5DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)投產(chǎn),性能、能效、密度等各項(xiàng)指標(biāo)都大幅提升。DRAM內(nèi)存行業(yè)的節(jié)點(diǎn)工藝一直不標(biāo)注具體數(shù)值是1a、1b、1c、1、1、1這樣的迭代順序,越來(lái)越先進(jìn),其中1a比較接近20nm,1則接近10nm。美光在中國(guó)臺(tái)灣的工廠(chǎng)也會(huì)引入EVU,并使用1工藝制造GDDR7顯存、LPDDR5X高頻內(nèi)存。...

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