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快科技5月1日消息,據(jù)TrendForce最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告,全球三大DRAM供應(yīng)商宣布即將停產(chǎn)DDR3和DDR4 DRAM,引發(fā)了現(xiàn)貨市場(chǎng)的快速反應(yīng),買家紛紛提前囤積相關(guān)內(nèi)存產(chǎn)品。這一停產(chǎn)消息部分抵消了因美國(guó)關(guān)稅政策帶來的觀望情緒,一些買家甚至愿意接受價(jià)格上漲,以確保短期內(nèi)有足夠的庫存,總體來看,補(bǔ)貨需求的增加推動(dòng)了現(xiàn)貨價(jià)格的全面上漲。在PC DRAM模塊方面,供應(yīng)商宣布停產(chǎn)的決定影響了市場(chǎng)情緒,買家的囤貨意愿上升,詢價(jià)數(shù)量也有所增加,價(jià)格符合市場(chǎng)預(yù)期上漲,采購勢(shì)頭和交易量略有改善。不過下半年的需求情況仍存在不確定性。短期
快科技4月23日消息,據(jù)TrendForce最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,由于關(guān)稅政策的不確定性,OEM廠商正在逐步增加庫存水平,以確保在關(guān)稅政策明朗化之前有足夠的存貨。與此同時(shí),DRAM供應(yīng)商將DRAM產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格上調(diào)了8-10%,特別是對(duì)于低價(jià)芯片,現(xiàn)貨買家對(duì)報(bào)價(jià)很積極并囤積,從而推高了現(xiàn)貨價(jià)格。對(duì)于主流芯片(DDR4 1Gx8 3200MT/s),平均現(xiàn)貨價(jià)格從上周的1.673美元上漲至本周的1.720美元,上漲了2.81%。不過NAND閃存市場(chǎng)的情況則有所不同,NAND現(xiàn)貨市場(chǎng)籠罩在美對(duì)關(guān)稅實(shí)施寬限期后的短期需求減少的擔(dān)憂之中。終端買家已經(jīng)開始調(diào)整采購策
三星電子下一代折疊屏智能手機(jī)“GalaxyZFold7”也將搭載12GB運(yùn)行內(nèi)存。如果消息屬實(shí),這意味著三星電子的GalaxyZFold系列運(yùn)行內(nèi)存容量將連續(xù)7年保持不變。三星電子在去年的折疊屏手機(jī)市場(chǎng)中,已經(jīng)出現(xiàn)了33%的負(fù)增長(zhǎng)。
華為暢享70X活力版已于本周發(fā)布,售價(jià)1499元起,國(guó)補(bǔ)后價(jià)格1274.15元起。新機(jī)發(fā)布后,擁有百萬粉絲的網(wǎng)紅博主楊長(zhǎng)順維修家”第一時(shí)間對(duì)該機(jī)256GB版本進(jìn)行了拆解。今年1月發(fā)布的華為暢享70X首發(fā)麒麟8000A芯片,支持5G,楊長(zhǎng)順維修家”在拆機(jī)時(shí)透露,暢享70X的核心部件,如芯片、字庫和運(yùn)行內(nèi)存等均為國(guó)產(chǎn)部件。
根據(jù)CounterpointResearch的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報(bào)告,SK海力士首次超越三星電子,以36%的市占率成為全球DRAM營(yíng)收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度,SK海力士的DRAM營(yíng)收市占率達(dá)到36%三星電子緊隨其后,市占率為34%,美光則以25%的市占率位列第三,其他廠商合計(jì)占據(jù)剩余的5%。CounterpointResearch表示,2025年第二季DRAM市場(chǎng)在各產(chǎn)品類別與廠商市占方面,將與前一季變化不大,長(zhǎng)期來看,HBM市場(chǎng)的增長(zhǎng)仍面臨來自貿(mào)易沖擊的結(jié)構(gòu)性挑戰(zhàn),這可能會(huì)引發(fā)經(jīng)濟(jì)衰退甚至蕭條。
據(jù)報(bào)道,SK海力士在DRAM芯片技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破,其1cnm工藝DRAM芯片良品率已從去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行業(yè)領(lǐng)先水平。這一技術(shù)突破正值A(chǔ)I浪潮推動(dòng)高性能存儲(chǔ)需求激增的關(guān)鍵時(shí)期,有望幫助SK海力士在消費(fèi)級(jí)和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)建立技術(shù)優(yōu)勢(shì),挑戰(zhàn)三星在DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著良品率的持續(xù)提升和產(chǎn)能的逐步擴(kuò)大,1cnmDRAM芯片有望重塑存儲(chǔ)市場(chǎng)格局,為AI時(shí)代的數(shù)據(jù)處理需求提供更強(qiáng)大的支持。
快科技2月14日消息,據(jù)媒體報(bào)道,受到終端產(chǎn)品需求疲弱以及中國(guó)買家擴(kuò)大采用國(guó)產(chǎn)DRAM的雙重影響,DRAM內(nèi)存價(jià)格加速下跌,創(chuàng)下近2年來最大跌幅。2025年1月,指標(biāo)性產(chǎn)品DDR4 8GB的批發(fā)價(jià)(大宗交易價(jià)格)約為每個(gè)1.75美元,容量較小的4GB產(chǎn)品價(jià)格約為每個(gè)1.34美元,較前一個(gè)月均下跌了6%。這已是連續(xù)第五個(gè)月價(jià)格下跌,其中8GB產(chǎn)品創(chuàng)下自2023年3月以來的最大跌幅,4GB產(chǎn)品則創(chuàng)下自2023年4月以來的最大跌幅。目前,全球前三大DRAM廠商分別為韓國(guó)三星、SK海力士和美國(guó)美光,其次是中國(guó)臺(tái)灣的南亞科和華邦電,在這些企業(yè)的營(yíng)收中,中國(guó)市場(chǎng)占比
快科技12月26日消息,據(jù)媒體報(bào)道,在國(guó)際微電子領(lǐng)域頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議IEDM第70屆年度會(huì)議上,來自中國(guó)的浙江馳拓科技發(fā)布了一項(xiàng)突破性的SOT-MRAM(自旋軌道矩磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)技術(shù)進(jìn)展,解決了該技術(shù)在大規(guī)模生產(chǎn)中面臨的主要挑戰(zhàn)。馳拓科技首次提出了適合大規(guī)模制造的無軌道垂直型SOT-MRAM器件結(jié)構(gòu),顯著降低了SOT-MRAM工藝流程的復(fù)雜性和難度,并從原理上提升了器件良率。該結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新之處在于將MTJ直接放置在兩個(gè)底部電極之間,并允許過刻蝕,從而大幅度增加了刻蝕窗口,降低了刻蝕過程的難度。這一突破性設(shè)計(jì)使得12英寸晶圓上SOT-MRAM?
市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,截至2024年11月底,通用PCDRAM產(chǎn)品的平均固定交易價(jià)格已跌至1.35美元。這一價(jià)格相較于7月份的2.1美元,大幅下跌35.7%,主要原因是受到需求和供應(yīng)不利因素的影響。截至11月,PC用DDR516GB產(chǎn)品的平均固定交易價(jià)格為3.9美元,較10月的4.05美元下跌3.7%,與7月的4.65美元相比,跌幅達(dá)到16.1%。
感謝網(wǎng)友的線索投遞!海外地區(qū)今天推出了一款中低端手機(jī)MotoG555G,售價(jià)249歐元起。這款手機(jī)性價(jià)比高且功能強(qiáng)大,適合廣大消費(fèi)者選購使用。