三星在其第9代V-NAND閃存技術的革新中，巧妙地在金屬化工藝環(huán)節(jié)引入了鉬作為替代材料，與之并行的另一路徑則繼續(xù)沿用傳統(tǒng)的鎢材料。面對鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限，三星前瞻性地轉向鉬，這一轉變不僅有望實現(xiàn)層高30%至40%的進一步縮減能顯著降低NAND閃存的響應時間，為數(shù)據(jù)存儲領域帶來前所未有的性能飛躍。這一趨勢預示著六氟化鎢市場將面臨不可避免的收縮壓力含鉬材料的市場則將迅速崛起。...

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